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sdram储存器是(sr am储存器是什么)

Time:2024-03-22 02:08:58 Read:601 作者:CEO

自旋转矩传递存储器(STT-MRAM)被视为下一代存储技术之一,在2016年12月举行的国际电子器件会议(IEDM)上披露了多项突破性研究成果。最值得关注的是推出了具有容量超过1Gb以及将STT-MRAM嵌入CMOS逻辑芯片的技术演示。

MRAM 是下一代非易失性存储器技术的早期版本。其存储单元由磁隧道结(MTJ)组成。由于其体积大、功耗高,其最大容量约为16Mb,仅适合某些特殊需求。虽然采用MTJ水平排列的iSTT-MRAM已成功缩小尺寸,但存储密度仍然较低,最大容量仅为256Mb。

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直到较新的pSTT-MRAM的出现,MTJ才转而采用垂直排列,以进一步扩大存储密度。韩国内存厂商SK海力士与东芝于2011年开始合作,并于2016年成功推出目前容量,最大的STT-MRAM内存容量为4Gb。虽然详细数据尚未公布,但有报道估计其内存密度与DRAM 相当。

然而,内存技术不仅需要内存容量和密度,还需要使用寿命和容错等数据。 GlobalFoundries 与Everspin Technologies 合作测试了已推出的256Mb 容量pSTT-MRAM,可在100 摄氏度的环境中存储。该数据已有10多年历史,已被读写1亿次而没有明显退化,表明pSTT-MRAM技术已达到成熟阶段。

不过,就目前容量而言,STT-MRAM容量仍然较小,距离取代通用存储器还有一段路要走。另一个更可行的应用是将STT-MRAM嵌入到其他系统芯片中。目前已有SRAM嵌入式逻辑芯片技术,STT-MRAM比SRAM具有更高的存储密度,这有助于增加逻辑芯片中的存储容量。

IDEM 2016中,关于STT-MRAM嵌入式系统芯片的应用,一是高通与应用材料公司合作制造1Gb大容量嵌入式测试,二是三星电子研发8Mb容量嵌入式STT-MRAM在28nm工艺中。

高通的公告指出了一个非常有趣的点,那就是在嵌入式设计中,由于重复读写次数的减少,在同样的可靠性要求下,一般RAM必须要求读写次数为10的15次方,而STT-MRAM只需要能够保证10的12次方的读写就可以满足需求。

三星的28nm处理技术是目前最精密的STT-MRAM工艺。为了将STT-MRAM添加到CMOS逻辑芯片中,由于某些程序与CMOS逻辑电路工艺重叠,因此只需添加三个掩模即可有效嵌入STT-MRAM。这意味着可以低成本生产带有嵌入式STT-MRAM的逻辑芯片。

接下来,STT-MRAM的商业化发展将从大容量产品开始或在嵌入式系统市场普及。它还有待观察。

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