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芯片巨头美光(美光科技-dram芯片供应紧张将持续数年)

Time:2024-03-22 06:24:32 Read:866 作者:CEO

传统平面闪存在16/15nm工艺之后面临瓶颈,厂商开始转向3D闪存。其中,三星的速度最快。去年开始量产第二代V-NAND闪存,850 Pro和850 Evo硬盘也已上市。东芝/SanDisk也在跟进,扩建其位于日本的Fab 2工厂,为3D闪存生产做准备。英特尔/美光也在去年底推出了3D NAND闪存,目前正在准备量产。美光近期宣布将投资40 亿美元扩建新加坡Fab 10 晶圆厂,并于明年底开始量产第二代3D NAND 闪存。

美光斥资40亿美元升级Fab 10X晶圆厂生产3D NAND闪存

芯片巨头美光(美光科技-dram芯片供应紧张将持续数年)

美光目前在新加坡拥有Fab 10N 晶圆厂,月产能约14 万片当量晶圆。此次投资的新Fab 10X晶圆厂将主要生产第二代3D NAND闪存。建成后,月产能仍约为14万片等效晶圆,但接下来是3D NAND闪存,因此总产能更大,可支撑未来年位产能增长40-50%几年。

此次总投资约为40亿美元,整个项目要到2017财年,也就是2016年Q4季度才能完成,其中2015财年的初始投资为5亿美元。

美光的Fab 10X工厂主要生产第二代3D NAND闪存。根据英特尔此前的说法,第二代3D NAND闪存最多可堆叠32层NAND,die核心容量高达256Gb,最高可达1TB容量。如果TLC闪存的裸片容量可以达到384Gb,那么在2mm的厚度下就可以实现1TB的容量,这意味着SD卡的大小就有TB+的容量。

美光的3D NAND 闪存路线图

在美光的路线图上,在平面16nm工艺之后,他们将100%专注于3D NAND闪存。 2015年底,他们将首先在消费市场推出3D NAND闪存固态硬盘,但这应该是第一代3D NAND。堆叠层数为16层,略低于三星的V-NAND。

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