高通和罗德施瓦茨联合展示了一系列新型芯片组和处理器，包括上行链路载波聚合商用调制解调器芯片、Cat. 9 商业设备和Cat. 6种下行传输速度，并搭载了Snapdragon 425处理器的X8远程演进（LTE）调制解调器芯片。
通过与高通的密切合作，RS率先连接了远程演进-高级（LTE-A）三个下行链路组件的载波聚合，并在北京重新定义连接活动和COMPUTEX展会上成功展示了下一代高通Snapdragon LTE在台湾。调制解调器芯片组的性能；展出的RS测试配置包括两台RS CMW500宽带无线通信测试仪和RS CMWC Multi-CMW控制器。
展示的项目包括Snapdragon X12 LTE 调制解调器芯片的上行链路载波聚合，该芯片在UL/DL 配置中可提供两倍于LTE 时分双工(TDD) 上传速度1。在此演示中，RS CMW500 用作eNode B 模拟器增强的上行传输能力将可以更快地分享高质量照片和音视频，加快云空间文件的上传速度。
此外，配备X10 LTE调制解调器芯片的Snapdragon 810处理器与Cat. 9 还演示了LTE-A 三下行链路分量载波聚合。 LTE TDD峰值下载速度可达320Mbit/s； RS CMW500在此显示器中提供了真实的网络连接。
Snapdragon 425处理器配备X8 LTE调制解调器芯片和Cat. 6 LTE-A双分量载波聚合连接可达300Mbit/s，相当于LTE下载速度的两倍，将为大容量移动设备带来更高质量的传输性能。
