中芯国际执行副总裁李绪武表示，除了首批客户高通量产28nm工艺外，博通和华为海思28nm也将来到中芯国际生产。中国大陆本土IC设计公司对28nm感兴趣。需求更加强烈。但当谈到台积电在中国设立12英寸晶圆厂时，李旭武坦言，“台积电太强大了，我每天都睡不好觉！”
李绪武表示，中芯国际目前的28纳米工艺良率非常好，但仍有提升空间。重要的是，高通愿意成为第一个量产28纳米工艺的客户。这是对中芯国际的高度肯定。目前量产的28纳米工艺Nano是PolySiON工艺，下一步目标是快速量产28纳米HKMG工艺。很多大客户都在等待28nm HKMG工艺。一旦量产，海思、博通都会来中芯国际投产。
除了这些国际IC设计大客户之外，另一个不可忽视的趋势是中国大陆本土IC设计公司对28nm工艺的强劲需求。不少本土IC设计客户纷纷表示，“只要中芯国际28纳米HKMG准备好了，我们随时准备好”。 “投产”，也意味着来自客户的压力其实很紧。
近期，由于种种因素，台积电也将在中国大陆设立12英寸晶圆厂。李绪武表示，台积电的技术和竞争力太强了，让他每天都睡不好觉。预计中芯国际将更加积极地进行先进工艺开发和良率驱动。
中芯国际近日宣布将与高通、华为、比利时微电子（Imec）共同开发14纳米FinFET工艺。目前，Imec有团队进驻中芯国际工厂，但主要技术开发任务仍由中芯国际承担。 Imec只是提供一些基础技术和专利，李绪武也表示，这确实可以让中芯国际免于采取一些不必要的步骤。
中芯国际在投资14nm FinFET工艺之前，也评估过FD-SOI等技术。这项技术在两年前非常有吸引力。虽然整体性能不如FinFET工艺，但FD-SOI技术的优势在于它在工艺上没有太多变化，但最终我们还是采用了FinFET工艺，主要是因为大多数客户要求FinFET 工艺。
李绪武还指出，中芯国际的14纳米FinFET工艺预计在2018年初进入风险生产，中芯国际此前公布的量产时间点是2020年。
除了以先进制造工艺追求摩尔定律外，在“超越摩尔”布局方面，我们看好智能手机和物联网时代MEMS传感器的爆发性需求。根据中芯国际的计划，2015年量产MEMS麦克风、惯性传感器（Inertial Sensing）、压力传感器，预计2016年量产，逐步完成整个MEMS传感器产品线技术。
对于未来半导体技术，李绪武还指出了三大技术趋势。一是集成芯片，如MCU+RF/Wireless、MCU+eNVM+RF/Wireless；二是低功耗技术Ultra-Low Power；三是3DIC/TSV/WLCSP等封装技术。
对于射频/无线芯片，中芯国际目前正在生产0.11微米和65/55/20纳米工艺技术。未来除了现有的0.11微米工艺和65/55纳米工艺外，还将改用40/28纳米工艺技术；嵌入式存储器嵌入式NVM/MCU技术目前以0.18/0/13微米LL eNVM技术为主，未来将过渡到0.11微米和55/40/28纳米ULL eNVM技术。
对于电源管理芯片PMIC产品，技术将从0.18~0.13微米LG/LDMOS转向65/55nm Ultra Efficient LG/LDMOS；对于图像传感器CIS，目前基于0.18~0.11微米和90~55nm工艺。主要是未来会转向90nm~55/40nm 3D CIS技术。
中芯国际目前拥有四个生产基地。 12英寸晶圆厂主要位于北京和上海。北京12英寸晶圆厂1号产能为月产能3.7万片，工艺技术为0.18微米至55纳米。第二座晶圆厂刚刚开始量产。未来生产将主要集中在40~28nm先进工艺上；上海12英寸工厂月产能14000片，制程技术也锁定在45/40~28nm；其他8英寸工厂包括上海、深圳和天津工厂。
