韩国半导体在1974年才开始腾飞。当时韩国正在推动一种叫做“新社会运动”的运动。韩国半导体行业第一座晶圆厂（晶圆厂），名为韩国半导体富川工厂，建于1974年10月。由于开业时遭遇金融危机，同年12月，仅存活了三个月，就被董事长李坤和私人投资并购，后并入三星。
自20世纪80年代以来，韩国半导体产业开始突飞猛进。 1983年，三星开始准备集成电路制造，即DRAM的研发。
64KDRAM的成功研发是韩国半导体行业的里程碑，也是迈向全球内存强国的第一步。当时，三星电子的科研工作者们日夜奋战，放弃一切节假日和休息，凭借着自己的精神和野心。
64K DRAM研发成功
在64KDRAM的研发上，韩国非常清楚自己与先进国家的技术差距（1.5微米）是四年半，需要一步步追赶。有了256KDRAM（1.2微米），这一差距已缩短至三年。 1989年10月，三星成功开发出16MDRAM（采用0.25微米技术），领先于世界上任何其他制造商。
从1983年开发内存到1989年成功开发16M DRAM，三星电子仅用了6年时间就推进了五代DRAM技术，使三星电子成为全球最先进的内存制造商。
三星电子从1983年开始研发DRAM，并于1987年实现首次盈利，直到1993年量产16M DRAM才奠定了全球内存霸主的地位。
其最关键的决定是三星于1993年大胆投资建设8英寸硅晶圆生产线，用于生产DRAM。当时，6英寸硅片是全球主流。例如，英特尔和台积电分别在1992年和1996年才建成第一条8英寸生产线。因为当时投资一条8英寸生产线的成本高达1万亿韩元（相当于10亿美元以上），风险非常大。
1994年是韩国半导体产业的转折点。三星率先发布了全球首款256M DRAM。 256M DRAM意味着在指甲盖大小的芯片上集成了2.56亿个晶体管和2.56亿个电容器。
256M DRAM研发成功
为了超越日本半导体，三星电子在开发64M DRAM的同时，还成立了256M DRAM研发团队。 70名研究人员在Hwan Chang-Kyu的带领下努力工作。经过两年的努力，他们终于于1994年8月29日成功研制出世界上第一颗256M DRAM芯片。
非常有趣的是，第一批样品功能齐全，因此重复检查和测量多达10次，生怕出错。这为韩国在记忆力上超越日本奠定了基础。
三星电子成功原因初探
20世纪80年代后，韩国政府改变半导体产业政策，转而支持DRAM。此时，三星半导体开始得到政府的支持。当时韩国政府组织了“官私”DRAM联合开发项目，也通过政府投资发展DRAM产业。
刚进入DRAM市场时，三星电子首先从当时遇到财务问题的美光公司购买了64K DRAM技术，然后开始自行开发256K DRAM。为了提高技术，三星半导体高薪聘请了曾在美国半导体公司工作过的韩国人。工资比总统高4-5倍。
此外，三星还在美国建立了研发中心，并配备了相同的生产设备，以便这些高薪人员可以培训当地工程师。随后训练有素的工程师回到总部，夜以继日地工作。很快三星在DRAM领域就超越了日本。
另外一个非常关键的点是，1993年，全球半导体市场疲软，但三星采取了逆周期投资策略，加大了对DRAM的投资，建设了8英寸生产线。
三星于1984年9月推出64K DRAM，但由于DRAM价格迅速下降，从1984年初的4美元/片下降到1985年的30美分/片。此时三星的生产成本为每片1.3美元。到1986年底，三星半导体累计亏损3亿美元，完全失去了股本。
由于DRAM市场低迷，英特尔等美国企业纷纷退出内存市场，日本企业也纷纷缩减投资规模和产能。三星反其道而行之，进行逆周期投资，继续扩大产能，开发更高容量的DRAM。 1987年行业出现逆转，美国政府对日本半导体行业发起反倾销诉讼，美国政府与日本企业达成自动出口限制协议。随着日本企业减少对美国的出口，DRAM价格反弹，三星首次开始盈利。
三星资本支出连续多年位居全球第一
三星从1983年开始投资半导体和内存。当时韩国的半导体远没有现在先进。有人认为韩国的优势在于劳动力成本低廉。事实上，当时工厂里的操作工大部分都是来自农村的妇女。他们的文化水平不高，但素质却非常好。他们的工作非常认真、精确。
三星经过几年时间成为全球内存行业的领导者，主要得益于韩国政府及其强有力的领导集团的支持，比如三星前董事长李健熙对这项事业的执着。此外，该公司还有一定要赶上日本的坚定决心和信念。此外，还有一批在美国受训的一流工程师。他们之所以能取得如此辉煌的成绩，是因为他们的辛勤努力和半导体技术的加速发展。
还有另一个原因。例如，东芝等日本企业的研发中心和制造基地分布在不同的地方，相距较远。三星电子的研发中心和制造部门在同一个地方，不仅节省了时间和成本，也方便了研发和制造之间的沟通。
三星电子的另一个优势是自有的终端电子产品。不仅是半导体，还有面板、电视等，这样的垂直产业链有利于整合。不仅有利于尽快反映市场需求，也有利于终端产品与芯片各方面的协调。
三星电子在存储器领域的成功得益于外部因素，例如韩国政府的大力支持以及美国对日本半导体的反倾销策略。显然，三星电子的内部因素起着决定性的作用。
尤其是三星电子，势头强劲，必须成功超越日本。在上下的共同努力下，人的因素发挥了关键作用。众所周知，DRAM的制造是由良率和产品成本决定的，因此制程生产线每一步的良率都起着非常重要的作用。再加上其正确的策略，它在美国设立研发中心，使用与韩国制造相同的设备，高薪聘请在美国从事内存工作的韩国工程师，并在美国培养人才。返回韩国工作。此外，在全球存储器周期性下滑时，采取逆周期措施加大投资，积极扩大产能。
内外部因素共同推动了三星电子在存储器行业的成功。同样，分析天气、地点、人和人，中国似乎具备了所有的条件，但似乎只是在某些地方存在一些差异。因此，未来中国在突破内存制造行业的艰难时，必须非常清醒。仅仅有大的市场和足够的投资并不一定就能成功。它需要人才、动力和勇气的配合，以及真正卓越的技术。全球存储器行业总是有周期性的起伏。只有坚持到底，不怕暂时的损失，才能成功。现在的盲点是我们不知道我们的损失会持续多久？我们能有坚持下去的决心吗？因为通常只有国家意志才有坚持下去的可能。
