中国北京 2016 年11 月3 日 支持互联世界的创新射频解决方案提供商Qorvo, Inc.（纳斯达克股票代码：QRVO）今天宣布推出六款新型氮化镓(GaN) 芯片晶体管系列---TGF2933-36和TGF2941-42，新产品具有更好的高频性能和更低的噪声，这对于先进通信、雷达和国防射频系统应用至关重要。
该系列中的六款新型GaN 晶体管及其相关型号采用业界独特的Qorvo 0.15um 碳化硅基氮化镓(SiC) 工艺——QGaN15 制造。 QGaN15工艺允许晶体管在高达25 GHz的频率下工作，支持芯片级设计，并通过K波段应用提供更高频率和经济高效的分立技术。
Qorvo 高性能解决方案事业部总经理Roger Hall 表示：“高性能GaN 产品、互补模块和专业应用工程支持的结合使Qorvo 与众不同。我们帮助设计人员更快地将他们的产品推向市场。”
我们的合作伙伴Modelithics, Inc.（仿真技术领域的领导者）提供了线性、非线性和噪声模型，可实现快速、准确的性能测试并加速生产准备流程。这些模型提供的功能包括扩展的工作电压、环境温度和自热效应，以及针对波形优化的固有电压/电流节点访问。
下表简要介绍了QGaN15产品的特性。
Qorvo 是国防和有线行业领先的GaN RF 供应商*。自1999 年以来，Qorvo 一直致力于推动GaN 研究和创新，提供经过验证的GaN 电路可靠性和紧凑、高效的产品。 Qorvo 于2014 年完成了美国国防生产法案Act III GaN on SiC 项目，是经国防制造电子局认证的1A 级可信来源。该公司也是唯一一家达到制造就绪级别(MRL) 9 的GaN 供应商。Qorvo 一直在推动GaN 产品的下一代系统创新，从直流到Ka 频段，以其可靠的性能成功从工厂过渡到现场，维护成本低，使用寿命长。
*2016年策略分析
